سامسونگموبایل

سامسونگ و معرفی حافظه یک ترابایتی برای موبایل

سامسونگ  امروز بصورت رسمی تولید عمده اولین نسخه حافظه یونیورسال فلش یا eUFS 2.1 را با گنجایش یک ترابایت اعلام کرد.

این نوع حافظه که به عنوان حافظه داخلی گوشی‎های هوشمند استفاده می‎شود قرار است در نسل بعدی محصولات سامسونگ بکار گرفته شود.

تنها چهار سال بعد از معرفی اولین نسخه حافظه‎های UFS که با گنجایش 128 گیگابایت عرضه شده بودند، اکنون شرکت سامسونگ توانسته است از مرز یک ترابایت حافظه داخلی برای گوشی‎های هوشمند عبور کند.

به این ترتیب کاربران گوشی‎های هوشمند به زودی خواهند توانست حافظه‎ای در حد یک نوت‎بوک بالارده را بدون نیاز به کارت حافظه جداگانه، روی گوشی‎های هوشمند خودشان داشته باشند.

چئول چوی مدیراجرایی بخش بازاریابی حافظه در شرکت سامسونگ می‎گوید «انتظار می‎رود حافظه 1TB eUFS بتواند نقش بسیار مهمی در ایجاد تجربه کاربری شبیه به نوت‌بوک در نسل آینده گوشی‎های همراه داشته باشد. علاوه بر این سامسونگ متعهد است قابل اتکاترین زنجیره عرضه این حافظه را با میزان تولید کافی ایجاد کند تا عرضه گوشی‎های هوشمند پرچمدار جدید به موقع انجام شده و موجب رشد بازار جهانی موبایل شود».

حافظه 1TB eUFS در همان ابعاد قبلی (11.5 میلی‎متر در 13.0 میلی‎متر) طراحی شده است اما با ترکیب 16 لایه پشته‎ای از پیشرفته‎ترین حافظه‎های فلش V-NAND 512 گیگابایتی سامسونگ با یک کنترلر اختصاصی، توانسته است ظرفیتی دوبرابر نسخه‎های قبلی ایجاد کند. به این ترتیب کاربران گوشی‎های هوشمند خواهند توانست تا 260 ویدیوی 10 دقیقه‌ای با فرمت 4K UHD را در حافظه داخلی گوشی خود ذخیره کنند در حالی که بسیاری از گوشی‌های بالارده امروزی هنوز از حافظه 64GB eUFS استفاده می‎کنند که کاربر تنها می‎تواند 13 ویدیو با مشخصات گفته شده را روی آنها ذخیره کند.

سرعت کار حافظه 1TB eUFS هم بصورت استثنایی بالا رفته است و به این ترتیب کاربران می‎توانند حجم بزرگی از فایل‎های چندرسانه‎ای را در زمانی بسیار کم به گوشی خود منتقل کنند. سرعت انتقال این حافظه 1000 مگابایت برثانیه یعنی تقریبا دو برابر سرعت خواندن در یک حافظه SATA SSD 2.5 اینچی است. این یعنی یک ویدیوی فول اچ‎دی با حجم 5 گیگابایت را می‎توانید تنها در 5 ثانیه به حافظه NVMe SSD منتقل کنید. این سرعت تا 10 برابر بیشتر از سرعت یک حافظه microSD معمولی است.

علاوه بر این سرعت خواندن تصادفی نیز در مقایسه با نسخه 512 گیگابایتی تا 38 درصد افزایش یافته و سرعت کلاک به 58 هزار IOPS رسیده است. سرعت نوشتن تصادفی هم تا 500 برابر سریعتر از یک کارت حافظه microSD با عملکرد بسیار بسیار خوب (یعنی کلاک 100 IOPS) است و سرعت کلاک ان به 50 هزار IOPS رسیده است. بالا بودن سرعت خواندن و نوشتن تصادفی به کاربر امکان می‎دهد فیلمبرداری با سرعت 960 فریم در ثانیه را بصورت پیوسته ادامه دهد و این یعنی استفاده کامل از قابلیت‎های گوشی‌های پرچمدار چنددوربین کنونی و مدلهای آینده.

شرکت سامسونگ قصد دارد تولید نسل پنجم حافظه‌های 512Gb V-NAND خود را در نیمه اول سال 2019 در کارخانه پیونگ‎تائک کره جنوبی افزایش داده تا بتواند پاسخگوی افزایش تقاضای پیش‎بینی شده برای حافظه‌های 1TB eUFS از سوی برندهای مختلف تولیدکننده گوشی‎های همراه باشد.

برچسب ها

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.

بستن
بستن