ايسنا- اينتل اعلام کرد که در نسل بعدي پردازنده‌هاي خود از ترانزيستور‌هايي براي پردازش‌هاي سه‌بعدي استفاده خواهد کرد.
طبق اعلام اينتل با استفاده از اين فناوري در پردازنده‌هاي نسل جديد، مصرف انرژي در آن‌ها پايين‌تر آمده و تا 37 درصد بازده کارايي بالاتر مي‌رود.
هرچند که هنوز قيمت اين پردازنده و تنوع مدلي آن مشخص نشده است اما انتظار مي‌رود با شروع سال 2012 اين پردازنده‌ها نيز به بازار راه پيدا کنند.
ظاهرا قرار است اين پردازنده‌ها با نام کد “آي‌وي بريج” توزيع شوند که از ويژگي‌هاي بارز آن‌ها مي‌توان به استفاده از فناوري ساخت 22 نانومتري در توليد اشاره کرد.
اينتل در معرفي اين فناوري از نام Tri-Gate 3D Transistors استفاده مي‌کند که علت آن نيز تغييراتي در طراحي اين ترانزيستور نسبت به ترانزيستور‌هاي معمولي است که از اساسي‌ترين تغييرات آن مي‌توان به جايگزين شدن يک گيت سه‌بعدي با گيت معمولي ترانزيستورها و بلندتر شدن يک لبه عمودي از پايه سيليکون اشاره کرد.
