مقامات شركت سامسونگ الكترونيك از آغاز توليد انبوه تراشههاي NAND ، 16 گيگا بايتي كه تحت فناوري 51 نانومتري ساخته شدهاند خبر دادند.
مقامات شركت سامسونگ معتقدند؛ پس توليد انبوه تراشههاي NAND 80 گيگا بايتي مبتني بر فناوري 60 نانومتري در ماه آگوست سال 2006، اكنون توليد سري جديد تراشههاي NAND 16 گيگا بايتي نقطه عطف ديگري در تاريخ فعاليت توليد تراشه شركت سامسونگ اس.
تراشههاي سري جديد NAND ، 60 درصد بيشتر از تراشههاي پيشين شركت سامسونگ كه مبتني بر فناوري 60 نانومتري بودند كارآمدتر است و سرعت خواندن و نوشتن اين تراشهها حدود 80 درصد بيشتر از سرعت پردازش اطلاعات MLC هاي كنوني است.
طبق گزارش شركت سامسونگ، سرعت خواندن اطلاعات در تراشههاي NAND 60 نانومتري برابر با 17 مگابايت در ثانيه است؛ اما اين ميزان در تراشههاي فلش NAND ؛ 51 نانومتري، 30 مگابايت در ثانيه است.
همچنين، سرعت نوشتن اطلاعات در تراشههاي جديد 8 مگابايت در ثانيه ارزيابي شده كه اين قم در تراشههاي پيشين 4/4 مگابايت بوده است.
