آی تی ایران – سامسونگ برترین شركت تولید كننده محصولات نیمه رسانا از تولید اولین حافظه 40 نانومتری خبر داد. این NAND Flash با ظرفیت 32 گیگابایت و ساختار CTF بعنوان تحول بزرگی در صنعت بشمار می رود كه از كارآیی بالایی برخوردار است.
ناند فلشهای سامسونگ دارای ساختاری ساده و ظرفیت بالا هستند و این شركت در حال توسعه برای تولید فناوری پردازنده هایی از 40 تا 30 و یا حتی 20 نانومتری است .
در این حافظه های 32 گیگابایتی ، گیت های كنترل در CTF فقط 20 درصد از گیت های معمولی بزرگتر هستند . در CTF اطلاعات بر روی مكانهای مشخصی به نام holding chamber كه با لایه ای نارسانا از جنس نیترید سلیكون پوشانده شده ، قرار می گیرد كه باعث كنترل بهتر و حفظ اطلاعات ذخیره شده می شود.
استفاده عمده این حافظه ها در كارت های حافظه با ظرفیتی معادل 64 گیگابایت صورت می گیرد كه توانایی ذخیره 64 ساعت فیلم هایی با كیفیت DVD و یا 16000 آهنگ را دارند.
در طراحی CTF از ساختار TANOS استفاده شده كه از لایه های فلزی برخوردار است و برای اولین بار در تولید حافظه های NAND بكار فته است.
پردازنده 40 نانومتری برای حافظه های ناند 32 گیگابایتی ، نسل هفتم حافظه های ناند می باشند كه برای اولین بار توسط دكتر چانگ گیو هوانگ رئیس بخش محصولات نیمه رسانا سامسونگ در سخنرانی ISSCC 2002 معرفی شد.
