محققان دانشگاه MIT یک روش جدید برای ساخت تراشه ها ابداع کردند که در آینده می تواند منجر به تولید تراشه های بسیار نازک تر و انعطاف پذیرتر برای رایانه ها شود.
در راشه های موجود، لایه های بسیار نازکی که مدارهای الکترونیکی در قالب طرح های دقیق روی آن ها ترسیم شده است، به ترتیب روی یکدیگر قرار می گیرند. اما در تکنیک جدید برای اولین بار مواد مختلفی روی یک لایه تراشه قرار می گیرند و فرآیند تولید تراشه به گونه ای تغییر یافته است که می توان تمام مولفه های موردنیاز مدارهای الکترونیکی را برای تولید یک کامپیوتر، درون یک تراشه قرار داد. در این شیوه لایه های مواد تنها 1 تا 3 اتم ضخامت دارند و یکی از مهم ترین آن ها گرافین است.
در واقع در این فرآیند می توان تمام عناصر گروه 6 جدول تناوبی شامل کروم، مولیبدن و تنگستن و عناصر گروه 16 جدول ناوبی شامل گوگرد، سلنیم و تلوریم را با یکدیگر ترکیب کرد و از آن جا که اغلب این مواد نیمه رسانا هستند، در ساخت لایه های بسیارنازک مدارهای الکتریکی، بسیار مفید هستند.
محققان MIT یک لایه از گرافین را که روی یک لایه متخلخل از جنس سیلیکون قرار دادند. سپس ماده ای موسوم به PTAS را در مجاورت سیلیکون قراردادند تا از واکنش شیمیایی بین مولکول های آن ها، لایه ای از دی سولفید مولیبدن روی تراشه و در فضاهای خالی سیلیکون، شکل بگیرد. با استفاده از همین رویکرد می توان لایه های مختلفی از مواد را درون یک تراشه قرارداد.
موادی که با استفاده از این شیوه ساخته می شوند، کاربردهای متعددی دارند و ویژگی هایی از جمله انعطاف پذیری و قابلیت حمل بالا آن ها را به گزینه فوق العاده ای برای تولید نسل جدید کامپیوترها تبدیل می کند.
مرحله بعدی، استفاده از این فناوری برای ساخت پردازنده های جدید با کمک نسل جدید ترانزیستورها موسوم به tunnelling-transistor است.گزارش کامل این تحقیقات در نشریه Advanced Materials منتشر شده است.
منبع : ایرنا
